InGaAs APD modullari

Model: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Qisqa Tasvir:

Bu kuchsiz oqim signalini kuchaytirishga va foton-fotoelektrik-signal kuchaytirilishining konvertatsiya jarayoniga erishish uchun kuchlanish signaliga aylantirishga imkon beruvchi oldindan kuchaytirish davriga ega bo'lgan indiy galyum arsenidli ko'chki fotodiod moduli.

iqtibos olish Yuklab oling

Texnik parametr

Mahsulot teglari

Xususiyatlari

Old tomondan yoritilgan tekis chip
Yuqori tezlikdagi javob
Detektorning yuqori sezuvchanligi

Ilovalar

Lazer diapazoni
Lazerli aloqa
Lazerli ogohlantirish

Fotoelektrik parametr（@Ta=22±3℃）

Element #	Paket toifasi	Fotosensitiv sirt diametri (mm)	Spektral javob diapazoni (nm)	Buzilish kuchlanishi (V)	Javobgarlik M=10 l=1550nm (kV/Vt)	Ko'tarilish vaqti （ns）	Tarmoqli kengligi (MGts)	Harorat koeffitsienti T_a= -40 ℃ ~ 85 ℃ （V/℃）	Shovqin ekvivalenti quvvati (pW/√Hz)	Konsentriklik (mkm)	Boshqa mamlakatlarda almashtirilgan tur
GD6510Y	TO-8	0,2	1000 ~ 1700	30～70	340	5	70	0,12	0,15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0,5				10	35		0,21		−
GD6512Y		0,08				2.3	150		0,11		C3059-1550-R08B