800nm APD
Xususiyatlari
- Old tomondan yoritilgan tekis chip
- Yuqori tezlikdagi javob
- Yuqori APD daromadi
- Birlashmaning past sig'imi
- Kam shovqin
Ilovalar
- Lazer diapazoni
- Lazerli radar
- Lazerli ogohlantirish
Fotoelektrik parametr（@Ta=22±3℃）
| Element # | Paket toifasi | Fotosensitiv sirt diametri (mm) | Spektral javob diapazoni (nm) |
Eng yuqori javob to'lqin uzunligi | Javobgarlik l=800nm phe=1mkVt M=100 (A/W) | Javob vaqti l=800nm RL=50Ō （ns） | Qorong'u oqim M=100 (nA) | Harorat koeffitsienti Ta = -40 ℃ ~ 85 ℃ （V/℃）
| Umumiy sig'im M=100 f=1MHz （pF）
| Buzilish kuchlanishi IR=10mA (V) | ||
| Tip. | Maks. | Min | Maks | |||||||||
| GD5210Y-1-2-TO46 | TO-46 | 0,23 |
400～1100
|
800 |
55
|
0.3 | 0,05 | 0,2 | 0,5 | 1.5 | 80 | 160 |
| GD5210Y-1-5-TO46 | TO-46 | 0,50 | 0,10 | 0.4 | 3.0 | |||||||
| GD5210Y-1-2-LCC3 | LCC3 | 0,23 | 0,05 | 0,2 | 1.5 | |||||||
| GD5210Y-1-5-LCC3 | LCC3 | 0,50 | 0,10 | 0.4 | 3.0 | |||||||
